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标准工艺
 
UV-LIGA技术标准工艺
 
       UV-LIGA技术采用基于SU8光刻胶的厚胶紫外光刻工艺,大大降低了LIGA技术的加工成本,缩短了加工周期,并且可以制备台阶微结构,但其技术指标低于同步辐射LIGA技术,适用于加工深度小于500μm,线宽大于5μm,深宽比小于20的微结构。

一、设备情况


1. 溅射机:

  • ♦德国Laybold-Heraus公司  Z-550
  • ♦可进行直流、交流溅射,靶材有Cu、Cr、Fe-Ni、Ti、Au等
  • ♦本底真空:2*10-6 mbar,射频最大功率:2.5 kW,直流最大功率:1 kW,
  • ♦沉积速率:20-60nm/分钟
  • ♦容量:3英寸硅片13片

2. 厚胶甩胶台

  • ♦德国Karl Suss公司RC8
  • ♦可进行厚光刻胶的制备,具有程控功能
  • ♦可用最大工作尺寸:3", 最大转速: 5000rpm
  • ♦时间范围: 0-999s
  • ♦双面光刻机:德国Karl Suss公司 MA6
  • ♦可进行正面和反面对准曝光,
  • ♦最小线宽:2μm,对准精度:1μm
  • ♦精密铣切机:德国Leica公司 SP2600
  • ♦可进行光刻胶表面的铣切;
  • ♦最小进刀步长:1μm

3. 兆声显影机

  • ♦德国Megasonic公司
  • ♦可实现高深宽比阴图形微结构的显影
  • ♦频率:1M Hz

4. 反应离子刻蚀机

  • ♦法国Alcatel 公司Nextral 100
  • ♦可实现硅、氧化硅、PMMA、玻璃等材料的刻蚀,用于制备深刻蚀掩膜和电铸前的活化;
  • ♦刻蚀速率:50nm/min
  • ♦可选用SF6、CHF3、O2等作为刻蚀气体
  • ♦微结构模具电铸系统:自制 
  • ♦可实现铜和镍的电铸;
  • ♦镀速: 0.02-0.05mm/hr
  • ♦流量: 0.5-2l/ min 搅拌,速率: 20-100次/min
  • ♦电铸温度: RT-70℃,温度控制精度:0.10℃
  • ♦真空热压机:德国JENOPTIK 公司 HEX01/C
  • ♦可进行热塑性塑料微结构的批量加工,其特色是在模压过程中可抽真空;
  • ♦最大压力 20kN,最高热压温度 210℃

5. 测量显微镜:

  • ♦日本OLYMPUS公司 STM-MJS2
  • ♦可进行微结构形貌观察和三维长度测试;
  • ♦测量精度: 1μm

6. 表面轮廓仪

  • ♦美国Veeco公司 Dektak 6M
  • ♦可进行微结构表面轮廓和结构厚度的测试;
  • ♦垂直测量距离:1 mm, 精度:0.1 nm/6.5μm, 1 nm/65μm, 16nm/1mm
  • ♦扫描长度:50μm-30mm

7. 扫描电镜

  • ♦日本Hitachi公司SP2600
  • ♦可进行微结构形貌观察和拍照;
  • ♦最大加速电压:25kV,最大放大倍数:20万倍,分辨率5nm
  • ♦附带ADDA,数模转换器,模拟信号可转化为数字信号进行处理

二、    工艺流程


1. 紫外厚胶光刻工艺

  • 1)对硅片或玻璃片(厚度大于1mm)进行清洗,并在180℃烘4个小时以上以去除表面水分子;
  • 2)硅片一面溅射2μm左右厚的金属钛薄膜并进行湿法氧化发黑处理;
  • 3)再次对其进行清洗并180℃烘4个小时以上;
  • 4)利用厚胶甩胶机在基片表面旋涂所需要厚度的SU-8胶;
  • 5)利用程控烘箱或者热板对SU-8胶进行前烘处理。
  • 6)用精密铣床切除由于边珠效应(edge bead effect)造成的边缘较厚的部分,获得相对平整的SU-8胶平面和所需的厚度;
  • 7)利用光学掩模,在SUSS MA6紫外光刻机上进行接触式曝光;
  • 8)对曝光后的SU-8胶进行后烘热处理,得到交联的SU-8胶结构;
  • 9)显影,得到光刻胶图形,对高深宽比阴图形要使用兆声显影设备。

表1:不同厚度SU8光刻工艺参数

厚度[μm]
光刻胶
甩胶速率[rpm]
前烘时间[min]
曝光时间[sec]
后烘时间[min]
显影时间[min]
65℃
95℃
65℃
95℃
50
SU-8 50
1900
30
20
60
30
10
8
100
SU-8 50
1200
30
30
120
30
15
12
200
SU-8 100
1100
30
90
150
30
30
20
500
SU-8 100
600
30
300
350
30
50
30
 

2. 模具电铸工艺

1) 微电铸镍:

  • ♦电解液类型:改良瓦特镍镀液体系
  • ♦镀液工作条件:温度:50-60℃,PH值:4.5-5.0,
  • ♦镀速:0.15-0.4μm/min
  • ♦厚度范围:60-2000μm

2) 微电铸铜

  • ♦镀液类型:高分散性酸性镀铜液体系,
  • ♦镀液工作条件:室温,强酸环境,在强酸性环境中不稳定的材料不能直接作为基体材料使用。
  • ♦镀速:0.2-0.5μm/min
  • ♦镀层厚度范围:30-1200μm
  • ♦加工时间:按照镀层厚度从1天到10天不等

3) 微电铸镍铁合金:

  • ♦电解液类型:硫酸盐型稀溶液
  • ♦镀液工作条件:温度:50-60℃,PH值:4.5-5.0,
  • ♦镀速:0.05-0.2μm/min
  • ♦厚度范围:40-300μm

4) 样品后处理

  • ♦将玻璃片或硅片敲碎,剩余的硅片在80℃下用40%的KOH溶液去除,玻璃片用10%HF去除;用自己开发出的SU-8去胶液去除SU8光刻胶,将金属模具的背面和边缘用砂轮磨平,线切割后获得金属微结构模具。

3. 微复制工艺

  • 1) 将模具固定在真空热压机上,底部放上待模压的塑料片,如PMMA、PC、PS、PVC等;
  • 2) 关闭模腔并抽真空;
  • 3) 加接触力200N;
  • 4) 上下热板加热至所需温度并等待30秒;
  • 5) 在一定的速度下加压力并保持一定的时间;
  • 6) 降温至脱模温度;
  • 7) 在一定的速度下脱模;
  • 8) 模腔充气
  • 9) 打开模腔,取出塑料样品。
  •  
  • 模压系统在模压时,是自动执行命令的,对应于上述工艺步骤的一段典型命令流如下:
  • Initialize Force control {true/false=0}
  • Close chamber{}
  • Evacuate chamber{}
  • Touch Force {Force=200}
  • Heating {Top=165.0deg, Bottom=165.0deg}
  • Temperature>={Temperature=155.0deg,Channel=3}
  • Heating{Top=160.0deg, Bottom=160.0deg}
  • Waiting Time{Time=30.00s}
  • Force-Force controlled{Force=1000N,velocity=0.50000mm/min}
  • Waiting Time{Time=60.00s}
  • Cooling{Top=60.00deg,Bottom=60.00deg}
  • Temperature<={Temperature=66.0deg,Channel=3}
  • Force-Force controlled{Force=100N,velocity=0.50000mm/min}
  • Waiting Time{Time=30.00s}
  • Venting Chamber{}
  • Cooling{Top=40.00deg,Bottom=40.00deg}
  • Open chamber{}
  • Unlock door{}

表2: 模压工艺参数

材料
模压温度
[℃]
模压压力
[N]
模压时间
[sec]
脱模温度
[℃]
PMMA
160
5000
60
60
PC
200
6000
50
120
PVC
140
4000
60
60
PS
130
5000
60
60
 
 

三、    结果


1. 线宽变化

  • 由于我们目前使用的光刻机含有g-line、h-line和i-line,不是理想的单色i-line,所以光刻工艺后造成光刻胶变宽,下表为我们目前得到的线宽变化与光刻胶厚度的关系。

表3: 线宽变化与光刻胶厚度的关系

光刻胶厚度 [μm]
线宽变化 [μm]
50
1
100
2
200
5
500
10
 

2. 成品率

  • 对同样宽度的图形,圆柱的成品率要低于线条。
  • 表4:不同厚度SU8胶图形成品率
 
厚度[μm]
圆 柱[μm]
线 条[μm]
100
线宽
5
10
20
5
10
20
成品率
7.3%
70%
100%
30%
100%
100%
200
线宽
10
20
30
10
20
30
成品率
1.8%
60%
95%
28%
91%
98%
500
线宽
25
30
40
25
30
40
成品率
0%
78%
96%
50%
89%
100%
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