基片金属化工艺规范

1、工艺目的

本工艺是将基片金属化，可在3英寸基片上（如硅片、玻璃片等）溅射金属种子层（包括粘结层和导电层），为后续的电镀等工艺做准备。

2、工艺步骤：

2.1  开机准备：

2.1.1  检查机器压缩气是否在正常工作范围内（80-100psi）,冷却水压是否在正常范围（60-80psi）,开循环冷却水。

2.1.2  真空腔的一切操作必须带上一次性手套。

2.2   抽真空：

2.1.1   开总电源。

2.1.2  开分子泵，按V键，根据机器预设的程序，开始自动抽真空。

2.3 放样品：

2.3.1  检查样片表面是否清洗干净。

2.3.2   分子泵转速达600后，按Vent 键，放气完毕。

2.3.3   按上升键升起真空腔，放样品，按下降键关闭真空腔。

2.3.4   关掉Vent键，继续抽真空。

2.4  溅射：

2.4.1  打开直流溅射电源。

2.4.2  根据所需种子层材料选择相应的靶位。 常用的是Cr粘结层和Cu导电层，也可以是Au或者Pt作为导电层。

2.4.3   打开通气阀，通入溅射所需的Ar气。

2.4.4  根据要求设定溅射工艺参数。

2.4.5   溅射结束时按stop键，停止溅射；

2.4.6   若需溅射多层膜，可以再选择相应的靶位溅射，重复2.4.3至2.4.5的步骤。

2.5  取样品：

2.5.1  按Vent键，放气。

2.5.2  按上升键升起真空腔，取出样品，按下降键关闭真空腔。

2.5.3  关掉Vent键，继续抽真空。

2.6   关机：

2.6.1  关电源：待溅射到所需厚度后，按stop键，关溅射电源。

2.6.2  停止抽真空：按V键，待分子泵转速降到零时再关机械泵。

2.6.3  关总电源。

2.6.4  关气体阀。

3 、设定工艺参数

3.1  本底真空：5*10^-6mBar

3.2  种子层种类：根据用户要求定

3.3  溅射气压：8*10^-3mBar，可以根据需要调节

3.4  溅射功率根据具体要求来设定。

3.5  膜厚：根据用户要求定。

4工艺检验要求：

4.1  外观观察：肉眼看上去光亮平整如镜面，是对应的金属色。

4.2  镜检：在显微镜下观察，基片表面无明显针孔气泡。