Parylene薄膜沉积工艺规范

1、工艺目的

本工艺是将聚合物Parylene以薄膜形式沉积在基片表面，基片包括：硅片、石英片、陶瓷片及PCB板等。Parylene薄膜可保形沉积在基片表面。

2、工艺步骤

2.1开机准备：

2.1.1 基片进行清洗，并在100-180℃烘4个小时以上以去除表面水分子。

2.1.2 开启沉积系统电源，检查机器气压、温度是否在正常工作范围内。

              2.1.3 放置PARYLENE原料到腔体内。

              2.1.4 放置基片到腔体内。

              2.1.5开启冷却电源，等待45分钟，使温度降至零下100度。

              2.1.6盖上腔体，将冷却棒置于腔体中，抽真空。

2.2  薄膜沉积：

              2.2.1启动蒸发系统。

              2.2.2将真空规加热至135℃约15分钟。

              2.2.3裂解室温度加热至690℃约1.5小时。

              2.2.4  蒸发室温度等待至170℃约20分钟，温度到170℃后，再等约15分钟。

              2.2.5  冷却器电源关闭。炉管温度降至100℃以下，需等待约2小时。

              2.2.6  取出沉积好的样片。

2.3测量：

              2.3.1在沉积时放置陪片，陪片置于基片附近。

              2.3.2在陪片上切割形成台阶状。

              2.3.3采用台阶仪多点测量薄膜厚度。

3、设定工艺参数：

3.1温度：裂解室 690℃；蒸发室温度由室温至170℃；

3.2转速：5-10RPM

3.3尺寸: 根据客户要求确定，通常3-4寸硅片

4 、工艺检验要求：

4.1镜检：在显微镜下观察，图形无损伤，无气孔，颜色透明无乳状斑点。

4.2测量：用测量显微镜观察测量薄膜厚度。