摘要：

随着电子技术向着小型化、集成化方向发展，钛酸锶钡薄膜由于具有高的介电可调性而受到广泛关注，钛酸锶钡(BST)薄膜压控电容器在新型可调微波器件中具有很好的发展前景，但是钛酸锶钡薄膜与硅衬底的集成一直是亟待解决的难题。考虑到薄膜微波器件与硅微电子技术的集成，以硅作为BST薄膜可调微波器件的衬底，使可变电容的微细加工技术与MMIC工艺兼容。在硅和BST薄膜之间加入缓冲层以降低损耗，是一种新颖的可调微波电容器性能改进方法。

通过在衬底和BST薄膜间插入与BST薄膜晶格相匹配的镍酸镧(LNO)缓冲层，改善界面缺陷状态，减小应力，调整了BST薄膜的结晶取向，从而改善了可调性。这种技术思路突破以往研究报道中虽然能减小损耗但也会极大地降低可调率的瓶颈，为新型可调微波器件的研制提供了一种新的探索方向,共发表文章10篇，SCI收录4篇，EI收录9篇。

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