摘要：

当集成电路的特征线宽进一步降低到纳米技术时代以后，互连延迟成为发展的瓶颈。而全局互连占互连延迟的主要部分。借助MEMS技术常用的牺牲层技术理念，将全局互连的导线（比如Cu、Ag等合金）通过牺牲层技术镂空，然后再次填充超低k介质材料（比如BCB＋多孔性Sio2颗粒），或者干脆悬空工作，构成针对全局互连的超低k三维互连结构，这种互连不但可以将电介质的介电常数大幅度降低到很低水平，而且由于实际上阻断了全局互连引线之间的联系通道，导体材料的扩散迁移过程将不会发生。另外，我们在高深宽比微结构加工及侧壁修蚀方面积累了一定的研究基础，通过侧壁钝化技术，可以刻蚀得到垂直的高深宽比微结构，该技术获得授权专利2项。目前在国家重大科技专项的指引下，针对3D堆叠封装中的关键技术难题，提出硅通孔中阻挡层与种子层的一体化制备技术，这样不仅可以提高种子层和阻挡层的台阶覆盖性，而且可以降低成本，且于2012年授权专利1项。